အလူမီနီယမ် မဂ္ဂနီဆီယမ် 5356 အလူမီနီယံ အလွိုင်း အာဂွန် အာဂင် ဂဟေဝါယာ
Argon arc ဂဟေဝိုင်ယာကို ယေဘူယျအားဖြင့် ER309 ဝါယာကြိုး သို့မဟုတ် A302 လျှပ်ကူးပစ္စည်း ဂဟေဆော်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ER309 ဝါယာကြိုး သို့မဟုတ် A302 လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် မြင့်မားသော မာကျောသောစတီးလ်များနှင့် ချိတ်ဆက်ရန်၊ သံမဏိမှိုအခြေစိုက်စခန်းကို ပြုပြင်ခြင်း၊ သွန်းစတီးမှို၏ မာကျောသောမျက်နှာပြင်၏ အခြေခံကြားခံအလွှာပြုလုပ်ခြင်း၊ အက်ကွဲခြင်းကို ဂဟေဆော်ခြင်း၊ နှင့် အာဂွန် arc ဂဟေဆော်ခြင်းတို့သည် အလွန်လိုက်ဖက်ညီမှုရှိသည်။အာဂွန်ဂဟေဂဟေနည်းပညာ၏နိယာမမှာ သတ္တုဂဟေဆော်သည့်ပစ္စည်းကိုကာကွယ်ရန်နှင့် ဂဟေအခြေခံပစ္စည်းပေါ်ရှိ ဂဟေပစ္စည်းကို မြင့်မားသောလျှပ်စီးဖြင့်အရည်ပျော်စေရန်အတွက် အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ဂဟေပစ္စည်းတွင် အပူချိန်မြင့်မားသော ပေါင်းစပ်ဂဟေဆော်နေစဉ် အာဂွန်၏ အဆက်မပြတ် လွှဲပြောင်းမှုကြောင့် အာဂွန်ဓာတ်ငွေ့ ပါဝင်သည်။လေထုထဲတွင် အောက်ဆီဂျင်နှင့် မထိတွေ့နိုင်သောကြောင့် ဂဟေပစ္စည်းများ၏ ဓာတ်တိုးမှုကို တားဆီးပေးသောကြောင့် သံမဏိ၊ သံသတ္တုများကို ဂဟေဆော်နိုင်သည်။
| မော်ဒယ် | GB | AWS | အသုံးများသည်။ |
| CB-ER50-6 | ER50-6 | ER70S-6 | အနေအထားအားလုံးအတွက် manual tungsten အာဂွန်အသုံးပြုသည်။ ပိုက်လိုင်းများပေါ်တွင် arc backing weldi နှင့် arc welding ။ |
| CB-ER308L | ER308L | ER308L | ရန်သူဂဟေဆော်ရာတွင် အလွန်နိမ့်သောကာဗွန် 00Cr19Ni10 သံမဏိဖွဲ့စည်းပုံများကို အသုံးပြုထားသည်။ |
Deposited Metal ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
| Deposited Metal ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ | ||||
| မော်ဒယ် | Rm(Mpa) | Rel(Mpa) | A(%) | KV2(J) |
| CB-ER50-6 | ≥490 | ≥420 | ≥၂၂ | ≥27(-30︒C) |
ဂဟေဝါယာကြိုး၏ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု
| ဂဟေဝိုင်ယာ၏ ဓာတုဖွဲ့စည်းမှု (%) | ||||||||
| မော်ဒယ် | C | Mn | Si | S | P | Cu | Ni | Cr |
| CB-ER50-6 | ၀.၀၆-၀.၁၅ | ၁.၄၀-၁.၈၅ | 0.80-1.15 | ≤0.035 | ≤0.025 | ≤0.50 | ||
| CB-ER308L | ≤0.03 | 1.00-2.50 | ≤0.60 | ≤0.020 | ≤0.030 | ၉း၀၀ -11.0 | 19.50-22.00 | |
ထုပ်ပိုးခြင်း။
ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံ
ပြပွဲ
ကျွန်ုပ်တို့၏အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်
